Graphene/silicon Schottky diode

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Campo DC	Valore	Lingua
dc.contributor.author	Luongo, Giuseppe
dc.date.accessioned	2023-02-22T13:44:09Z
dc.date.available	2023-02-22T13:44:09Z
dc.date.issued	2020-02-10
dc.identifier.uri	http://elea.unisa.it:8080/xmlui/handle/10556/6425
dc.identifier.uri	http://dx.doi.org/10.14273/unisa-4497	-
dc.description	2018 - 2019	it_IT
dc.description.abstract	In this works we fabricated four graphene/silicon heterojunctions, which differ for structure and substrate type, and performed electrical and optical characterization. The first device was realized by depositing a layer of graphene on a trench patterned low n-doped silicon substrate. We obtained a graphene/silicon Schottky diode connected in parallel with a graphene/oxide/silicon MOS (Metal Oxide Semiconductor) capacitor. .. [edited by Author]	it_IT
dc.language.iso	en	it_IT
dc.publisher	Universita degli studi di Salerno	it_IT
dc.subject	Graphene	it_IT
dc.subject	Schottky	it_IT
dc.subject	Diode	it_IT
dc.title	Graphene/silicon Schottky diode	it_IT
dc.type	Doctoral Thesis	it_IT
dc.subject.miur	FIS/01 FISICA SPERIMENTALE	it_IT
dc.contributor.coordinatore	Attanasio, Carmine	it_IT
dc.description.ciclo	XXXII ciclo	it_IT
dc.contributor.tutor	Di Bartolomeo, Antonio	it_IT
dc.identifier.Dipartimento	Fisica "E.R. Caianiello"	it_IT
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abstract in italiano G.Luongo.pdf	abstract in italiano a cura dell'Autore	85,05 kB	Adobe PDF	Visualizza/apri
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